短波焦平面探測器由探測器陣列與讀出電路倒裝互連而成。焦平面器件技術涵蓋光電子與微電子技術范疇，器件結構復雜，技術難度大，對設計、工藝、產品化等技術均有較高要求。

　　紅外成像技術的核心部分當屬紅外探測器技術，包括紅外材料、器件等重大制造工藝技術，涉及紅外探測器基礎理論、總體設計、薄膜材料生長技術、材料性能表征與評價技術。

　　在短波紅外成像光譜技術的應用背景下，對短波焦平面探測器的校正技術進行研究，包括壞像元校正和非均勻性校正，并提出先進行壞像元校正后進行非均勻性校正的探測器校正原則；在標準輻射源下，對正常像元的輸出值進行正態分布擬合，并通過3σ準則設定正常像元輸出值閾值的方法，確定探測器中壞像元的數量與位置，然后根據短波紅外成像光譜技術的應用要求，對壞像元進行光譜二鄰域均值替換；壞像元校正完成后，再采用運算量小、實時性強的兩點法對探測器進行非均勻性校正。綜合校正結果表明：探測器壞像元得到有效剔除，壞像元輸出值得到良好校正，且非均勻性校正效果明顯，圖像細節更加豐富。